IRF9Z34N

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: P -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 56 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 55 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 10 V

Maximum Drain Current |Id|: 17 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.1 Ohm

Package: TO220AB

Написать отзыв

Ваше Имя:


Ваш отзыв: Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оценка: Плохо           Хорошо

Введите код, указанный на картинке: