КТ814

• транзистор КТ814 – биполярные транзисторы p-n-p большой мощности (Pк max > 1,5 Вт) низкой частоты (Fгр ≤ 3 МГц). Применяются в линейных и ключевых схемах, узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Аналог КТ814

• Прототип КТ814 Б - BD136
• Прототип КТ814 В - BD138
• Прототип КТ814 Г - BD140

Характеристики транзистора КТ814

Предельные параметры КТ814

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{K max}):  КТ814А, Б, В, Г - 1,5 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{K, и max}):  КТ814А, Б, В, Г - 3 А

Граничное напряжение (U_{KЭ0 гр}):

• КТ814А - 25 В
• КТ814Б - 40 В
• КТ814В - 60 В
• КТ814Г - 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}):

• КТ814А, Б, В, Г - 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (P_{K max}) при температуре корпуса 25° C:

• КТ814А, Б, В, Г - 10 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Т_{п max}):

• КТ814А, Б, В, Г - 125° C

Значения параметров КТ814 при Т_{перехода}=25^oС

Статический коэффициент передачи тока (h_21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (U_КБ) 2 В, при постоянном токе эмиттера (I_Э) 0,15 А:

• КТ814А, Б, В - 40
• КТ814Г - 30

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

• КТ814А, Б, В, Г - 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (I_КБО)

• КТ814А, Б, В, Г - 0,05 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

• КТ814А, Б, В, Г - 3 МГц

Емкость коллектоpного перехода (C_К)

• КТ814А, Б, В, Г - 60 пф

Емкость эмиттеpного перехода (C_Э)

• КТ814А, Б, В, Г - 75 пф

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_Тп-к)

• КТ814А, Б, В, Г - 10° С/Вт

транзисторы
Структура	p-n-p
Uкэ.max, В	100
Iк.max, А	1,5
Pк.max, Вт	10

Написать отзыв

Ваше Имя:


Ваш отзыв: Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оценка: Плохо           Хорошо

Введите код, указанный на картинке: