Характеристики транзистора КТ819ГМ
-
Структура n-p-n
-
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В
-
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В
-
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 15000(20000) мА
-
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 2(100) Вт
-
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 12-225
-
Обратный ток коллектора <=1000 мкА
-
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц
-
Коэффициент шума биполярного транзистора <2 дБ
Аналоги транзистора КТ819ГМ
-
2SD716, 2SD843, BDW21C, BDW51B, BDW51C, BDX10, BDх10C, BDх95, BDY20, BDY38, BDY73, 2N3055, 2N3055E, 2N6472, BD183