10N60

• транзистор MOSFET,  N, 600V, 10A, 156W

Наименование прибора: 10N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 69 ns

Выходная емкость (Cd): 166 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.72 Ohm

• аналоги:

• замена где допустимо: