FQP12N60C

• транзистор MOSFET,  N, 600V, 15A, 225W

• аналоги:

• замена где допустимо: 

FQP12N60C MOSFET

Наименование прибора: FQP12N60C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 225 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 48 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO220