ВНИМАНИЕ! Цена товара 0,00руб. означает, что она формируется, вы её узнаете перед подтверждением заказа.
Главная » Радиодетали, электронные компоненты » Транзисторы

Транзисторы

Вид: Список / Сетка
На странице:
Сравнение товаров (0)
Сортировка:
КТ827А, n-p-n, 100В, 20А, 125Вт, составной
КТ827А, n-p-n, 100В, 20А, 125Вт, составной
КТ827А, n-p-n, 100В, 20А, 125Вт, составной ..
0.00 руб.
в закладки
сравнение
КТ828А, n-p-n, 800В, 5А, 50Вт
КТ828А, n-p-n, 800В, 5А, 50Вт
Наименование производителя: КТ828А Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора..
0.00 руб.
в закладки
сравнение
КТ829А, n-p-n, 100В, 8А, 60Вт
КТ829А, n-p-n, 100В, 8А, 60Вт
Наименование производителя: KT829A Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора..
0.00 руб.
в закладки
сравнение
КТ837А, p-n-p, 80В, 7.5А, 30Вт
КТ837А, p-n-p, 80В, 7.5А, 30Вт
• транзистор p-n-p, 80В 7.5А Наименование производителя: KT837A Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V Макcи..
50.00 руб.
в закладки
сравнение
КТ840А, n-p-n, 400В, 6А, 60Вт
КТ840А, n-p-n, 400В, 6А, 60Вт
Наименование производителя: KT840A Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжен..
0.00 руб.
в закладки
сравнение
КТ863А, n-p-n, 30В, 10А, 50Вт
КТ863А, n-p-n, 30В, 10А, 50Вт
• транзистор n-p-n, 300В 10А Наименование производителя: KT863A Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcим..
30.00 руб.
в закладки
сравнение
КТ940А, n-p-n, 300В, 0.1А, 10Вт
КТ940А, n-p-n, 300В, 0.1А, 10Вт
• транзистор n-p-n, 300В 0.1А Наименование производителя: KT940A Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макc..
20.00 руб.
в закладки
сравнение
КТ972А
КТ972А
• транзистор n-p-n, 60В 4А ..
0.00 руб.
в закладки
сравнение
Яндекс.Метрика
Работает на ocStore
Tм-STAR © 2024