Характеристики транзистора BCP52
Структура - p-n-p
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: - 60 В
Напряжение коллектор-база, не более: - 60 В
Напряжение эмиттер-база, не более: - 5 V
Ток коллектора, не более: - 1 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не б..
Биполярный транзистор BU2508DF
Наименование производителя: BU2508DF
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700..
BU931T, 125W, 400V, 10A, К-220, составной транзистор
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально ..