ВНИМАНИЕ! Цена товара 0,00руб. означает то, что она формируется ...
Категории
Главная » Радиодетали, электронные компоненты » Транзисторы

Транзисторы

Вид: Список / Сетка
На странице:
Сравнение товаров (0)
Сортировка:
КТ315
КТ315
..
20.00 руб.
в закладки
сравнение
КТ361
КТ361
..
20.00 руб.
в закладки
сравнение
КТ805
КТ805
..
0.00 руб.
в закладки
сравнение
КТ808
КТ808
..
0.00 руб.
в закладки
сравнение
КТ8101А
КТ8101А
• транзистор n-p-n, 200В 16А • аналог ⇒ ..
170.00 руб.
в закладки
сравнение
КТ8102А
КТ8102А
• транзистор p-n-p, 200В 16А ..
170.00 руб.
в закладки
сравнение
КТ814, p-n-p, 25-80V, 1.5A, 10Вт
КТ814, p-n-p, 25-80V, 1.5A, 10Вт
• транзистор КТ814 – биполярные транзисторы p-n-p большой мощности (Pк max > 1,5 Вт) низкой частоты (Fгр ≤ 3 МГц). Применяются в линейных и ключевых схемах, узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Аналог КТ814 Прототип КТ814 Б - BD136 Прототип КТ814 В ..
50.00 руб.
в закладки
сравнение
КТ815
КТ815
• транзистор n-p-n, 100В 1.5А ..
0.00 руб.
в закладки
сравнение
КТ816, p-n-p, 40-100V, 3A, 25Вт
КТ816, p-n-p, 40-100V, 3A, 25Вт
Кремниевые эпитаксиально - планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Аналоги КТ816 Прототип КТ816 Б – BD234 Прототип КТ816 В – BD236 Прототип КТ816 Г – BD2..
35.00 руб.
в закладки
сравнение
КТ817
КТ817
• транзистор n-p-n, 40В 3А ..
0.00 руб.
в закладки
сравнение
КТ818А, p-n-p, 40В, 10А, 60Вт
КТ818А, p-n-p, 40В, 10А, 60Вт
• транзистор p-n-p, 40В 10А Наименование производителя: KT818A Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcима..
40.00 руб.
в закладки
сравнение
КТ818ГМ, p-n-p, 90В, 15А, 100Вт, метал, ТО-3
КТ818ГМ, p-n-p, 90В, 15А, 100Вт, метал, ТО-3
Характеристики транзистора КТ818ГМ Структура p-n-p Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 90 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 90 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 15000(20000) мА ..
400.00 руб.
в закладки
сравнение
КТ819А, n-p-n, 40В, 10А, 60Вт
КТ819А, n-p-n, 40В, 10А, 60Вт
Наименование производителя: KT819A Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора ..
40.00 руб.
в закладки
сравнение
КТ819ГМ, n-p-n, 100В, 15А, 100Вт, метал, ТО-3
КТ819ГМ, n-p-n, 100В, 15А, 100Вт, метал, ТО-3
Характеристики транзистора КТ819ГМ Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 15000(20000) м..
500.00 руб.
в закладки
сравнение
КТ825Г, p-n-p, 90В, 20А, 125Вт, составной
КТ825Г, p-n-p, 90В, 20А, 125Вт, составной
• транзистор p-n-p, составной, 90В 20А ..
400.00 руб.
в закладки
сравнение
Яндекс.Метрика
Работает на ocStore
Tм-STAR © 2024