• Радиодетали, электронные компоненты
  • Диоды (58)
  • Диодные мосты (11)
  • Транзисторы (147)
  • Микросхемы (248)
  • Конденсаторы (109)
  • Резисторы (136)
  • Стабилитроны, стаб.микросхемы (77)
  • Тиристоры, симисторы (22)
  • Варисторы (4)
  • Динисторы (2)
  • Светодиоды (4)
  • Оптоэлектронные устр-ва (8)
  • Трансформаторы (3)
  • Электронные лампы (3)
• Коммутация
  • тумблера, переключатели, кнопки (54)
  • Разъёмы, клемники (11)
  • Реле (33)
• Комплектующие и запчасти
  • микроволновки (18)
  • генераторы (5)
  • стабилизаторы сети (10)
  • дрели, МШУ (болгарки) (3)
  • шуруповёрты (2)
• Прочее
  • Вентиляторы (6)
  • Движки (8)
  • Измерительные приборы (6)
  • Подшипники (17)
  • спутниковое оборудование (3)
• Планшеты
  • Запчасти для планшетов (3)

Транзисторы

K30T60 (IKW30N60T), IGBT, 600V, 60/30A, 187/94W, TO247

K30T60 - IGBT, 600V, при Тс=+25*С- 60A, 187W, при Тс=+100*С- 30A, 94W, корпус TO247 ..

250.00 руб.

в закладки

сравнение

K3878 (2SK3878), MOSFET, N, 900V 9A 150W

2SK3878 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.3 Ohm Тип ..

150.00 руб.

в закладки

сравнение

K50H603, IGBT, 600V, 100/50A, 333/167W

• транзистор IGBT, N-Channel, 600В, T=+25*C 100А 333W, T=+100*C 50А 167W • аналоги: HGTG40N60A4, IGW50N60H3, IXXH50N60B3, IKW50N60H3    • замена где допустимо: RJH60F7, IRGP4068D - применяется в ремонте сварочного инвертора: ИСКРА Электроприбор ИСА-180,..

450.00 руб.

в закладки

сравнение

K794 (2SK794), MOSFET, N, 900V, 5A, TO-3P

..

100.00 руб.

в закладки

сравнение

MD1803DFX

..

150.00 руб.

в закладки

сравнение

MMBT4403 (2T) SMD, PNP, 40V 0.6A SOT23

..

15.00 руб.

в закладки

сравнение

N55C (NCP1055), SOT223-4

NCP1055ST136T3G, SOT223-4 Применяется в ремонте БП сварочных инверторов: fubag IN160, Spark 180, GYSMI ..

150.00 руб.

в закладки

сравнение

P75NF75 (STP75NF75), MOSFET, N, 75V, 80A, 45W

Наименование прибора: STP75NF75FP Маркировка: P75NF75 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжени..

100.00 руб.

в закладки

сравнение

P8NK80ZFP, MOSFET, N-Channel, V, A, W

..

80.00 руб.

в закладки

сравнение

PN2369A, n-p-n, 15V, 0.2A, 0.35W,

..

50.00 руб.

в закладки

сравнение

RJH60F5, IGBT, N, 600V, 80/40А, 260W

• транзистор IGBT, N-Channel, 600В, 260W, 80А(T=+25*C), 40A(T=+100*C) • аналоги: RJH60F5DPK • замена где допустимо: FGH40N60SFD, Применяется в ремонте сварок: Weldmaster ИСА180, ..

350.00 руб.

в закладки

сравнение

RJH60F7, IGBT, N, 600V, 90/50A, 328W

• транзистор IGBT, N-Channel, 600В 90А, TO-247 • замена где допустимо: IRGP4068, FGH40N60SFD, FGH60N60SFD, IRGP50B60PD1, HGTG30N60А4D Используется в ремонте сварочных аппаратов: FoxWeld Мастер 160, FUBAG IR 180, ..

300.00 руб.

в закладки

сравнение

S8050 (SMD, J3Y), n-p-n, 25V, 0.5A, 0.6W, 150MHz, SOT23

..

10.00 руб.

в закладки

сравнение

S8050, n-p-n, 25V, 0.5A, 0.6W, 150MHz, TO92

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзис..

20.00 руб.

в закладки

сравнение

S8550

• транзистор p-n-p ..

20.00 руб.

в закладки

сравнение