В корзине пусто!
ВНИМАНИЕ! Цена товара 0,00руб. означает то, что она формируется ...
Категории
-
Радиодетали, электронные компоненты (824)
- - Диоды (58)
- - Диодные мосты (11)
- - Транзисторы (147)
- - Микросхемы (248)
- - Конденсаторы (109)
- - Резисторы (136)
- - Стабилитроны, стаб.микросхемы (77)
- - Тиристоры, симисторы (22)
- - Варисторы (4)
- - Динисторы (2)
- - Светодиоды (4)
- - Оптоэлектронные устр-ва (8)
- - Трансформаторы (3)
- - Электронные лампы (3)
- Коммутация (98)
- Комплектующие и запчасти (41)
- Прочее (44)
- Планшеты (3)
Транзисторы
• транзистор IGBT, N-Channel, 600В 80А(T=+25º), 40А(T=+100º)
• аналоги: 40N60, G40N60, IXGH40N60, IXSH40N60
• замена где допустимо: APT50GF60BR, HGTG20N60A4, IKW20N60T, IXGH20N60B, RJH60F4D
• применяется в ремонте сварочного инвертора:
• Datasheet ⇒ fgh40n60ufd.pdf
..
300.00 руб.
FGH60N60SFD - IGBT
Тип управляющего канала: N-Channel
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3V
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60.0A
Корпус: TO247
..
0.00 руб.
FGH60N60SFD - IGBT
Тип управляющего канала: N-Channel
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3V
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60.0A
Корпус: TO247
..
300.00 руб.
• транзистор MOSFET, N, 900В 4A 140W
• аналоги:
• замена где допустимо:
..
100.00 руб.
• транзистор MOSFET, N, 600В 23W
• аналоги:
• замена где допустимо:
..
70.00 руб.
Наименование прибора: IRFR5305 (FR5305)
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 89 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
Максимально допустимый постоянный ток..
50.00 руб.
SGB15N60HS - IGBT, N-Channel, 600V, 27A, 138W
Наименование: SGB15N60HS
Маркировка: G15N60HS
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 138W
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер..
170.00 руб.
• транзистор IGBT, N-Channel, 600В, при Тс=+25*С- 75A, 463W, при Тс=+110*С- 60A, f - до 150кГц
• аналоги: IXGH30N60, IXGM30N60
• замена где допустимо: RJH60F5 (600В 80А), RJH60F7 (600В 90А)
применяется в ремонте сварочного инвертора: BlueWeld PRESTIGE 164
..
250.00 руб.
• транзистор IGBT, N-Channel, 600В 27А, 200W, f - 60...150кГц, корпус TO-3P
• аналоги: IRG4PF50W (200W, 900V, 28A), IRG4PH50S (200W, 1200V, 33A), IRG4PC50S (200W, 600V, 41A), IRG4PC50K (200W, 600V, 30A), IRG4PC50F (200W, 600V, 39A)
• замена где допустимо:
применяется ..
270.00 руб.
Наименование: SGW50N60HS
Маркировка: G50N60HS
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 416W
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8V
Максимальный постоянный ток ко..
450.00 руб.
• транзистор IGBT, N-Channel, 600В 48А
• аналоги: AUIRGP4062D, HGTG12N60A4D,
• замена где допустимо: FGH60N60UFD, HGTG30N60A4, HGTG40N60C3, IGW40N60H3, IHW30N60T, IXGH30N60B, RJH60T4DPQ-A0
..
300.00 руб.
• транзистор IGBT, N-Channel, 600В 96А, 330 Вт TO247AD
• аналоги: IRGP4063(600В 96А),
• замена где допустимо: HGTG30N60A4, IGW50N60H3, IKW50N60H3, IXGH50N60B4, KGT50N60KDA
Применяются в ремонте сварочных аппаратов: TELWIN TECNICA 144, TELWIN TECNICA 164, BlueWeld PRESTIGE 164 INVERTER..
300.00 руб.
• транзистор IGBT, N-Channel, 600В 75А
• аналоги: HGTG40N60C3, IXGH40N60B, IXGH50N60A
• замена где допустимо: IXSH40N60, RJH60M5DPQ-A0, RJH60F5DPQ-A0(600V,80A), RJH60F7DPQ-A0(600V,90A), HGTG40N60A4(600V,75A), IGW50N60H3(600V,100A), IGW60N60H3(600V,80A),
Применяются в ремонте сва..
550.00 руб.
GW45HF60WD, IGBT, N-Channel, 600V, 45A(30A)
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.65V
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30A
Корпус: TO247
Зам..
0.00 руб.
Работает на ocStore
Tм-STAR © 2024
Tм-STAR © 2024