ВНИМАНИЕ! Цена товара 0,00руб. означает, что она формируется, вы её узнаете перед подтверждением заказа.
Главная » Радиодетали, электронные компоненты » Транзисторы

Транзисторы

Вид: Список / Сетка
На странице:
Сравнение товаров (0)
Сортировка:
FGH40N60UFD, IGBT, N, 600V, 80/40A, 290/116W
FGH40N60UFD, IGBT, N, 600V, 80/40A, 290/116W
• транзистор IGBT, N-Channel, 600В 80А(T=+25º), 40А(T=+100º) • аналоги: 40N60, G40N60, IXGH40N60, IXSH40N60 • замена где допустимо: APT50GF60BR, HGTG20N60A4, IKW20N60T, IXGH20N60B, RJH60F4D • применяется в ремонте сварочного инвертора: • Datasheet ⇒ fgh40n60ufd.pdf   ..
300.00 руб.
в закладки
сравнение
FGH60N60SFD, IGBT, N, 600V, 120/60A, 378/151W
FGH60N60SFD, IGBT, N, 600V, 120/60A, 378/151W
FGH60N60SFD - IGBT  Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60.0A Корпус: TO247 ..
0.00 руб.
в закладки
сравнение
FGH60N60SMD, IGBT, N, 600V, 120/60A, 378/151W
FGH60N60SMD, IGBT, N, 600V, 120/60A, 378/151W
FGH60N60SFD - IGBT  Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60.0A Корпус: TO247 ..
300.00 руб.
в закладки
сравнение
FQP4N90C, MOSFET, N, 900В 4A 140W
FQP4N90C, MOSFET, N, 900В 4A 140W
• транзистор MOSFET,  N, 900В 4A 140W • аналоги: • замена где допустимо:    ..
100.00 руб.
в закладки
сравнение
FQPF2N60C, MOSFET, N, 600V, 2A, 23W
FQPF2N60C, MOSFET, N, 600V, 2A, 23W
• транзистор MOSFET,  N, 600В 23W • аналоги: • замена где допустимо:    ..
70.00 руб.
в закладки
сравнение
FR5305, IRFR5305, MOSFET, P, 55V, 28A, 89W, TO-252F (SMD)
FR5305, IRFR5305, MOSFET, P, 55V, 28A, 89W, TO-252F (SMD)
Наименование прибора: IRFR5305 (FR5305) Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 89 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток..
50.00 руб.
в закладки
сравнение
G15N60HS (SGB15N60HS), IGBT, N-Channel, 600V, 27A, 138W
G15N60HS (SGB15N60HS), IGBT, N-Channel, 600V, 27A, 138W
SGB15N60HS - IGBT, N-Channel, 600V, 27A, 138W Наименование: SGB15N60HS Маркировка: G15N60HS Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 138W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер..
170.00 руб.
в закладки
сравнение
G30N60A4 (HGTG30N60A4), IGBT, 600V, 75/60A, 463W, TO247 (без диода)
G30N60A4 (HGTG30N60A4), IGBT, 600V, 75/60A, 463W, TO247 (без диода)
• транзистор IGBT, N-Channel, 600В, при Тс=+25*С- 75A, 463W, при Тс=+110*С- 60A, f - до 150кГц • аналоги: IXGH30N60, IXGM30N60 • замена где допустимо:  RJH60F5 (600В 80А), RJH60F7 (600В 90А) применяется в ремонте сварочного инвертора: BlueWeld PRESTIGE 164  ..
250.00 руб.
в закладки
сравнение
G4PC50W, IGBT, N-Channel, 600V, 55/27A, 200/78W, TO-3P
G4PC50W, IGBT, N-Channel, 600V, 55/27A, 200/78W, TO-3P
• транзистор IGBT, N-Channel, 600В 27А, 200W, f - 60...150кГц, корпус TO-3P • аналоги: IRG4PF50W (200W, 900V, 28A), IRG4PH50S (200W, 1200V, 33A), IRG4PC50S (200W, 600V, 41A), IRG4PC50K (200W, 600V, 30A), IRG4PC50F (200W, 600V, 39A) • замена где допустимо:  применяется ..
270.00 руб.
в закладки
сравнение
G50N60HS (SGW50N60HS), IGBT, 600V, 100/50A, 416W, 30kHz, К-247 (без диода)
G50N60HS (SGW50N60HS), IGBT, 600V, 100/50A, 416W, 30kHz, К-247 (без диода)
Наименование: SGW50N60HS Маркировка: G50N60HS Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 416W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8V Максимальный постоянный ток ко..
450.00 руб.
в закладки
сравнение
GP4062D, IGBT, N-Channel, 600В, 48/24А, 250/125W
GP4062D, IGBT, N-Channel, 600В, 48/24А, 250/125W
• транзистор IGBT, N-Channel, 600В 48А • аналоги: AUIRGP4062D, HGTG12N60A4D, • замена где допустимо: FGH60N60UFD, HGTG30N60A4, HGTG40N60C3, IGW40N60H3, IHW30N60T, IXGH30N60B, RJH60T4DPQ-A0 ..
300.00 руб.
в закладки
сравнение
GP4068D, IGBT, N-Channel, 600V, 96/48A, 330/170W
GP4068D, IGBT, N-Channel, 600V, 96/48A, 330/170W
• транзистор IGBT, N-Channel, 600В 96А, 330 Вт TO247AD • аналоги: IRGP4063(600В 96А), • замена где допустимо: HGTG30N60A4, IGW50N60H3, IKW50N60H3, IXGH50N60B4, KGT50N60KDA Применяются в ремонте сварочных аппаратов: TELWIN TECNICA 144, TELWIN TECNICA 164, BlueWeld PRESTIGE 164 INVERTER..
300.00 руб.
в закладки
сравнение
GP50B60PD1, IGBT, N-Channel, 600V, 75/45A, 395/156W
GP50B60PD1, IGBT, N-Channel, 600V, 75/45A, 395/156W
• транзистор IGBT, N-Channel, 600В 75А • аналоги: HGTG40N60C3, IXGH40N60B, IXGH50N60A • замена где допустимо: IXSH40N60, RJH60M5DPQ-A0, RJH60F5DPQ-A0(600V,80A), RJH60F7DPQ-A0(600V,90A),  HGTG40N60A4(600V,75A), IGW50N60H3(600V,100A), IGW60N60H3(600V,80A), Применяются в ремонте сва..
550.00 руб.
в закладки
сравнение
GW45HF60WD, IGBT, 600V, 70/45A, 250W
GW45HF60WD, IGBT, 600V, 70/45A, 250W
GW45HF60WD, IGBT, N-Channel, 600V, 45A(30A) Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.65V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30A Корпус: TO247 Зам..
0.00 руб.
в закладки
сравнение
Яндекс.Метрика
Работает на ocStore
Tм-STAR © 2024