В корзине пусто!
ВНИМАНИЕ! Цена товара 0,00руб. означает, что она формируется, вы её узнаете перед подтверждением заказа.
Категории
-
Радиодетали, электронные компоненты (824)
- - Диоды (58)
- - Диодные мосты (11)
- - Транзисторы (147)
- - Микросхемы (248)
- - Конденсаторы (109)
- - Резисторы (136)
- - Стабилитроны, стаб.микросхемы (77)
- - Тиристоры, симисторы (22)
- - Варисторы (4)
- - Динисторы (2)
- - Светодиоды (4)
- - Оптоэлектронные устр-ва (8)
- - Трансформаторы (3)
- - Электронные лампы (3)
- Коммутация (98)
- Комплектующие и запчасти (41)
- Прочее (44)
- Планшеты (3)
Транзисторы
• транзистор IGBT, N-Channel, 600V, при Т=+25*С - 80А, при Т=+100*С - 60А, 375W, TO-247
• аналоги:
• замена где допустимо:
Применяется в ремонте сварочных аппаратов: ELITECH ИС-220, Техник-210,
..
400.00 руб.
MOSFET MOSFT 100 V 17A 90 1mohm 24.7nC к-220
Type Designator: IRF530N
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 79 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 10 V
..
60.00 руб.
• транзистор MOSFET, N, 500В 4.5A 100W
• аналоги:
• замена где допустимо:
Характеристики:
Type Designator: IRF830
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 100 W
Maximum Drain-So..
50.00 руб.
Наименование прибора: IRF9Z24N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (I..
60.00 руб.
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: P -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 56 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 55 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 10 V
Maximum Drain Current |Id|: 17 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Maximum Drain..
60.00 руб.
Наименование прибора: IRFP260N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока ..
300.00 руб.
• транзистор MOSFET, N-Channel, 400V, 23A, 280W
• аналоги: FCH35N60, FDA50N50, FQA30N40, IXTQ30N50P
• замена где допустимо:
применяется в ремонте сварочного инвертора ТОРРУС-200, ТОРУС-250 Экстра
Характеристики:
Type Designator: IRFP360
Type of Trans..
150.00 руб.
IRFZ24N, MOSFET 55 В 17a 13.3nC к-220
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
Пороговое напряже..
100.00 руб.
Type Designator: IRFZ44N
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 94 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 55 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 10 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Cur..
100.00 руб.
MJD127 - PNP, 100V, 8A, 20W, 4MHz, SMD, TO-252
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение э..
50.00 руб.
• транзистор MOSFET, N, 600В 3.5A 35W
• аналоги:
• замена где допустимо:
..
100.00 руб.
K30H603 - IGBT, 600V, при Тс=+25*С- 60A, 187W, при Тс=+100*С- 30A, 94W, корпус TO247
Наименование: IKW30N60H3, маркировка: K30H603
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 187W
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V
Нап..
250.00 руб.
Работает на ocStore
Tм-STAR © 2024
Tм-STAR © 2024