Транзисторы

IRFD123 DIP-4

70.00 руб.

в закладки

сравнение

10N60A, MOSFET, N, 600V, 10A, 156W, пластик

• транзистор MOSFET, N, 600V, 10A, 156W Наименование прибора: 10N60 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-ист..

100.00 руб.

100.00 руб.

12N60C (FQP12N60C), MOSFET, N, 600В 225W

• транзистор MOSFET, N, 600V, 15A, 225W • аналоги: • замена где допустимо: FQP12N60C MOSFET Наименование прибора: FQP12N60C Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 225 W Предельно допустимое н..

100.00 руб.

в закладки

сравнение

13001

• транзистор ..

30.00 руб.

в закладки

сравнение

13003A, n-p-n, 400V, 1.2A, 18W

Биполярный транзистор J13003 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: J13003 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 18 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V Макcимально..

30.00 руб.

в закладки

сравнение

13007A, n-p-n, 400V, 8A, 40W

• транзистор n-p-n, 400V, 8A, 40W • аналоги: 13007, 13009 • замена где допустимо: применяется в ремонте импульсных блоков питания, непосредственно в составе таких устройств как: автомобильные зарядные устройства, зарядные для сотовых телефонов, пускатели ламп дневного света..

100.00 руб.

в закладки

сравнение

23N50E

Характеристики: MOSFET, 500В 23А применяется в ремонте сварочных инверторов: СВАРИС 160, ..

300.00 руб.

0.00 руб.